缺陷与记忆：WSe2/MoTe2异质结搭建神经形态器件

摘要：

最近，已经研究了堆叠的二维材料，重点是在其堆叠结界面处的范德华相互作用。在这里，我们报告的场效应晶体管（FET）具有堆叠的过渡金属二硫化物（TMD）通道，其中两个TMD之间的异质结界面对于非易失性或神经形态存储FET很有用。一些纳米级的WSe₂和MoTe₂薄片垂直堆叠在栅极电介质上，底部的p-MoTe₂充当空穴传输的通道。有趣的是，尽管可以通过栅极电压（V_GS）来控制俘获/去俘获，但WSe₂ / MoTe₂界面却充当了俘获阱以非易失性方式起作用的空穴俘获部位。高V_GS脉冲后的记忆保持时间长于10000 s，漏极电流中的编程/擦除比大于200。此外，即使V_GS小，陷阱也可以精确控制，这表明我们的神经形态记忆也是可能的异质结堆叠FET。我们的堆叠通道FET证明了〜94％的识别精度的神经形态记忆行为。

器件结构

非易失存储

神经形态记忆行为

原文链接：https://dx.doi.org/10.1021/acsnano.0c05393

关键词：stack channel FET, WSe2/MoTe2 heterojunction, interface traps, nonvolatile memory, neuromorphic device