Flash Memory与3D突触阵列

摘要：

为了解决常规数字计算机的基本瓶颈，最近对基于硬件的神经形态系统的研究激增。为了模拟人工神经网络的功能，已经提出了各种突触装置及其2-D交叉点阵列结构。在我们以前的工作中，我们提出了基于电荷陷阱闪存（CTF）存储器的3-D突触阵列架构。它具有3D堆叠技术的高密度集成和成熟的CTF器件技术出色的可靠性特征。本文研究了3D突触阵列架构的一些问题。此外，与以前的工作相比，我们提出了一种改进的结构和编程方法。通过技术计算机辅助设计（TCAD）设备仿真和用于模式识别任务的系统级仿真，对所提出方法的突触特性进行了仔细检查和验证。所提出的技术将是神经形态硬件系统高性能和高可靠性的有前途的解决方案。

3D突触阵列结构

用于神经形态硬件系统的非易失性存储设备之间的比较

器件工作过程

关键词：3-D neuromorphic system; 3-D stacked synapse array; charge-trap flash synapse

原文：doi:10.3390/electronics9010057