自组装石墨烯+氢等离子体修饰氧化钆人工突触忆阻器

近年来，人工智能和物联网的兴起导致对大量数据计算的需求增加。为了满足神经形态工程学的要求，必须开发由人工神经元和突触组成的有前途的系统。在这里，便宜且批量生产的具有氢（H2）等离子体表面修饰的紧凑型自组装（CSA）石墨烯被用作氧化g（GdxOy）忆阻器的底部电极（BE），以模仿神经形态系统中的突触。随着等离子体处理时间的增加，GdxOy忆阻器的电阻比增加，工作电压降低，这可以归因于石墨烯薄片上的官能团的去除和电阻转换过程中CSA石墨烯的氧化还原反应的增强。具有10分钟的H2等离子体表面改性的CSA石墨烯BE的GdxOy忆阻器具有出色的数据保留可靠性，可保留超过104 s的时间，并可以进行150次循环操作。此外，具有H2等离子体表面修饰的CSA石墨烯BE的GdxOy忆阻器具有出色的仿生特性，可调节的突触重量和更和谐的依赖于尖峰时序的可塑性（STDP）行为，为未来的神经形态计算系统的应用提供了机会。