经深紫外处理的MoTe2人工突触

文章链接：Nanomaterials | Free Full-Text | Neuro-Transistor Based on UV-Treated Charge Trapping in MoTe2 for Artificial Synaptic Features (mdpi.com)

摘要

脑功能的多样性取决于化学突触中神经递质的释放。背栅三端子场效应晶体管（FET）是用于模仿生物功能以识别熟练的神经形态计算系统的较好候选者。为了加强滞回曲线，我们在自然环境条件下用深紫外光处理了MoTe2薄片的底部。在这里，由于在MoTe2晶体管的几层中电子的捕获和去捕获，我们调制了短程和长程记忆效应。MoTe2 FET揭示了在施加栅极电压脉冲时电子俘获/去俘获的时间常数。我们利用MoTe2 FET传输曲线中的滞回效应来探索兴奋性/抑制性突触后电流（EPSC / IPSC），长期增强（LTP），长期抑制（LTD），尖峰时序/幅度依赖性可塑性（STDP / SADP）和成对脉冲促进（PPF）。此外，发现增强和抑制的时间常数分别为0.6和0.9 s，这对于生物突触似乎是合理的。此外，发现MoTe2电导的突触权重变化在负脉冲时分别为41％，正脉冲为38％。我们的发现可以在智能神经形态电子学的发展中发挥重要作用。

关键词：MoTe2晶体管；化学突触；神经形态；电荷捕获和人工突触